Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
TSM900N06CP ROG
Product Overview
Κατασκευαστής:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
TSM900N06CP ROG-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CHANNEL 60V 11A TO252
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 11A (Tc) 25W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Αποθέμα:
4537 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12897668
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
TSM900N06CP ROG Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Taiwan Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
11A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
90mOhm @ 6A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
9.3 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
500 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
25W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-252 (DPAK)
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Βασικός αριθμός προϊόντος
TSM900
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
TSM900N06CPROGCT
TSM900N06CP ROGCT
TSM900N06CPROGDKR
TSM900N06CP ROGDKR
TSM900N06CPROGTR
TSM900N06CP ROGTR-DG
TSM900N06CP ROGDKR-DG
TSM900N06CP ROGCT-DG
TSM900N06CP ROGTR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
3 (168 Hours)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
DMP2021UFDF-13
MOSFET P-CH 20V 9A 6UDFN
SI2102-TP
MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT323
TSM4NB65CH C5G
MOSFET N-CHANNEL 650V 4A TO251
